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Plasmanitrieren

Plasmanitrieren

Zu unserem Leistungsspektrum im Bereich der Oberflächenveredelung gehört das Randschicht-Härten durch das Plasmanitrieren (auch bekannt als Plasma-Härten oder Ionitrieren). Beim diesem Wärmebehandlungsverfahren wird die Oberfläche des Behandlungsgutes mit Stickstoff angereichert. Dabei bilden sich in der Randschicht Eisen- und Sondernitride, die eine Härtesteigerung der Oberflächenrandzone bewirken. Beispiele von erreichbaren Härtewerten: Stahl DIN-Nr. Härten (HRC) Plasmanitrieren (HV1) 1.0503 300-500 9SMnPb28K 1.0718 200-500 16MnCr5 1.7131 500-650 42CrMo4 1.7225 550-650 50CrV4 1.8159 450-600 56NiCrMoV7 1.2714 550-650 X210Cr12 1.2080 900-1200 34CrAIMo51 1.8507 900-1100 X40CrMoV51 1.2344 900-1200 X155CrVM0121 1.2379 900-1250 31CrMoV9 1.8519 800-1000 34CrAINi7 1.8550 900-1200 X210CrW12 1.2436 900-1200 GGG70 500-700 Das eingesetzte ELTROPULS Nitrier-Verfahren basiert auf einer patentierten Pulsplasma-Nitriertechnologie. Vorteile des Pulsplasma-Nitrierverfahrens: - niedrige Behandlungstemperaturen (ab 350 °C bis max. 560 °C) - Verzugsarmes Verfahren (minimale Maß- und Formänderung) - hohe Oberflächenhärte (bei geeigneten Werkstoffen bis zu 1250 HV) - Erhöhung der Verschleißfestigkeit (als Folge der höheren Härte und Festigkeit der Randschicht) - Verbesserung der Gleiteigenschaften (Verminderung des Reibungskoeffizienten) - Verringerung der Adhäsion zum Verschleißpartner - wesentlich glattere Oberflächen als bei anderen Nitrierverfahren (z.B. Gasnitrieren) - hohe Reproduzierbarkeit der Randschichteigenschaften - anwendbar bei allen Stahlsorten sowie Guss- und Sintereisenwerkstoffen - Prozesskombinationen sind möglich (z.B. Nitrieren + Oxidieren) - umweltfreundlich Eine höhere Beständigkeit gegen abrasiven Verschleiß kann durch eine kombinierte Oberflächenbehandlung erzielt werden, die das Plasmanitrieren mit nachfolgender PVD-Beschichtung umfasst. Die durch das Plasmanitrieren gehärteten Oberflächen bieten eine hervorragende Stützgrundlage für die nachfolgende PVD-Hartstoffbeschichtung (siehe Abb. unten).