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Das Test- und Messwesen ist eine Querschnittsaufgabe, die einer eigenen fach- und branchenübergreifenden Methodik folgt. Wir bieten Ihnen ein breites Spektrum an Leistungen, die Sie bei Ihren Test- und Messaufgaben unterstützen. Vom Testkonzept bis zur Datenauswertung, von der Ressourcenplanung und Bereitstellung, vom technischen Support bis zur Schulung Ihrer Mitarbeitenden – bei uns profitieren Sie von unserem langjährigen Know-How rundum die Methodik des Messens und Testens. Gemeinsam bringen wir Ihren Test auf das nächste Level!

Präzisions-Diamant-Ritzgerät MR 200 zum manuellen Ritzen für das definierte Trennen strukturierter Si-Wafer MR 200 ist das ideale Werkzeug für REM-Präparationen in der Halbleitertechnologie. Der Aufbau und die Ausstattung des MR 200 ermöglichen das hochgenaue Ritzen zum definierten Brechen strukturierter Silizium-Wafer. Vor allem für REM-Präparationen in der Halbleitertechnologie ist das MR 200 ein unentbehrliches Hilfsmittel. Der Einsatz für die Vereinzelung von Chips ist für kleine Stückzahlen, also vor allem im Laborbereich, ebenfalls möglich. Der mechanische Grundaufbau bietet zahlreiche Möglichkeiten zur Einstellung der Ritzparameter. Die hochwertige Zoomoptik ermöglicht den stufenlosen Vergrößerungswechsel von 8x bis 40x. Optik und Mechanik können mit Zusatzbaugruppen erweitert werden, um die Leistungsfähigkeit und den Bedienkomfort weiter zu steigern. Dazu gehören ein Ausbausatz zum Anschluss einer Kamera, ein Bildverarbeitungssystem mit Messfunktionen und digitale Messsysteme für die Tischverschiebung.

Messwanlder zur externen Messung von Strömen bis 200A und einer Sekundärspannung von 5A Wandlerverhältnis: 5 / 200 A mit ca. 1m Anschlusskabel Frequenz: 50-60 Hz Nennstrom : 200A (AC) Nennleistung: 5A (AC) Genauigkeit: ± 1% von 20% bis 120% des Nennstroms Phasenwinkel : weniger als 2 Grad bei 50% des Nennstroms Isolationsspannung : 600VAC Maximale Primärspannung : 5000 V AC (isolierte Leitung) Durchschlagsfestigkeit : 2.5KV / 1 mA / 1min Betriebstemperatur: -15 °C bis 60°C Luftfeuchtigkeit: <85% Gehäusematerial : PC / UL94-V0 Spule: PBT Kern: Permalloy Interne Struktur: Epoxid Dieses P 1992003: 200/5A